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MMFT960T1
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
10
4
3
2
1
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
25 ° C
1
I D = 1 A
V GS = 10 V
0
0
0.5
1 1.5 2
? 55 ° C
2.5
0.1
? 75
? 50
? 25 0 25 50 75 100
125
150
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. On?Resistance Variation with Temperature
250
225
200
V GS = 0 V
f = 1 MHz
T J = 25 ° C
1
175
150
125
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
100
0.1
75
50
25
C rss
C oss
C iss
0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
0
0
5
10 15 20 25
30
10
V SD , SOURCE?DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Source?Drain Diode Forward Voltage
2
V DS , DRAIN?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
9
8
7
I D = 1 A
T J = 25 ° C
V DS = 30 V
1.5
V DS = 10 V
6
5
4
V DS = 48 V
1
T J = ? 55 ° C
3
2
0.5
125 ° C
25 ° C
1
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3
3.5
4
0
0
0.5
1 1.5
2
2.5
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge versus Gate?to?Source Voltage
http://onsemi.com
3
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 8. Transconductance
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